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标题: 闸流管和双向可控硅应用的十条黄金原则 [打印本页]

作者: 天涯浪子 时间: 2009-12-10 16:21 标题: 闸流管和双向可控硅应用的十条黄金原则

规则1. 为了导通闸流管（或双向可控硅），必须有门极电流≧IGT ，直至负载电流达到≧IL 。这条件必须满足，并按可能遇到的最低温度考虑。

规则2. 要断开（切换）闸流管（或双向可控硅），负载电流必须<IH, 并维持足够长的时间，使能回复至截止状态。在可能的最高运行温度下必须满足上述条件。

规则3. 设计双向可控硅触发电路时，只要有可能，就要避开3+象限（WT2-，+）。

规则4. 为减少杂波吸收，门极连线长度降至最低。返回线直接连至MT1（或阴极）。若用硬线，用螺旋双线或屏蔽线。门极和MT1 间加电阻1kΩ或更小。高频旁路电容和门极间串接电阻。另一解决办法，选用H 系列低灵敏度双向可控硅。

规则5. 若dVD/dt 或dVCOM/dt 可能引起问题，在MT1 和MT2 间加入RC 缓冲电路。若高dICOM/dt 可能引起问题，加入一几mH 的电感和负载串联。另一种解决办法，采用Hi-Com 双向可控硅。

规则6. 假如双向可控硅的VDRM 在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出，采用下列措施之一：
负载上串联电感量为几μH 的不饱和电感，以限制dIT/dt；
用MOV 跨接于电源，并在电源侧增加滤波电路。

规则7. 选用好的门极触发电路，避开3+象限工况，可以最大限度提高双向可控硅的dIT/dt 承受能力。

规则8. 若双向可控硅的dIT/dt 有可能被超出，负载上最好串联一个几μH 的无铁芯电感或负温度系数的热敏电阻。另一种解决办法：对电阻性负载采用零电压导通。

规则9. 器件固定到散热器时，避免让双向可控硅受到应力。固定，然后焊接引线。不要把铆钉芯轴放在器件接口片一侧。

规则10. 为了长期可靠工作，应保证Rth j-a 足够低，维持Tj 不高于Tjmax ,其值相应于可能的最高环境温度。

作者: 谭飞 时间: 2009-12-10 16:28

直得我学习.谢了

作者: 学员5701-01 时间: 2009-12-10 18:40

感谢分享，论坛有你更精彩！

作者: 音响电器 时间: 2009-12-14 04:59

学习中

作者: 黄德义 时间: 2009-12-18 12:55

学习中，谢谢分享。

作者: 龚晓军 时间: 2009-12-18 13:01

学习了，感谢分享！

作者: 金福源家电 时间: 2010-2-24 14:17

学习学习，收藏了，谢谢。

作者: xiaojin1 时间: 2010-9-12 17:22

直得我学习。

作者: 泡泡猪 时间: 2010-12-20 00:45

学习学习，收藏了，谢谢。

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